В 2013 году появится новая спецификация для USB 3.0 с пропускной способностью 10Гбит/с, что несколько побыстрее той жe SATA 3 с ее 6 Гбит/с. Новый USB 3.0 10Гбит/с (назовем его v2) будет использовать тот же разъем, что и нынешний USB 3.0 SuperSpeed (5Гбит/с
( Read more... )
Надысь, компании Samsung и Hynix продемонстрировали работающие чипы стандарта DDR4. Samsung показала опытную 30-нм память DDR4, а компания Hynix - 38-нм. При массовом же производстве обе компании обещают техпроцесс 20 нм
( Read more... )