Feb 28, 2012 13:34
Надысь, компании Samsung и Hynix продемонстрировали работающие чипы стандарта DDR4. Samsung показала опытную 30-нм память DDR4, а компания Hynix - 38-нм. При массовом же производстве обе компании обещают техпроцесс 20 нм.
Вкратце об основных фишках:
- напряжение питания снижено до 1,2 В, и в дальнейшем остаётся запас для ещё большего cнижения
- архитектура групповых банков с независимыми сигнальными линиями, что даёт возможность каждой группе банков работать в индивидуальном режиме, включая режимы регенерации. Это позволяет задействовать только те ячейки модуля памяти, которые необходимы для хранения текущего объёма информации, а незадействованные блоки отрубать.
- минимальная скорость передачи данных в пересчёте на каждую линию данных составит 1,6 GT/s (giga transfers per second, условно говоря - ГБ/с). В дальнейшем скорость передачи будет повышена до 3,2 GT/s.
- технология Pseudo Open Drain (POD), которая даст возможность снизить потребление в режимах чтения и записи.
- улучшенный контроль за ошибками передачи по шине данных
- маскирование данных
Первая коммерческая память стандарта DDR4 появится в 2013 году для серверов (объём модулей достигнет 32 ГБ). Для рынка персональных компьютеров память DDR4 в заметных количествах начнёт появляться в 2014 году.
хард,
новости