Околонаучное

[profi]

Уважаемые коллеги, вдруг кто-то из вас знает ответ на вопрос: сайт(ы) Эльбакянши (т.е. Sci-Hub и его многочисленные зеркала) совсем убили, или наблюдаемое сейчас - временные трудности? Если - совсем, то меня одновременно обуревают диаметрально противоположные чувства. С одной стороны, я не считаю себя принципиальным борцом с копирастией, и

Comments

[vladlitovchenko]

Sci-Hub

Sci-Hub,mg.scihub.ltd,sci-hub.tw,The project is supported by user donations. Imagine the world with free access to knowledge for everyone ‐ a world without any paywalls.

sci-hub.hkvisa.net


Sci-Hub

Sci-Hub,mg.scihub.ltd,sci-hub.tw,The project is supported by user donations. Imagine the world with free access to knowledge for everyone ‐ a world without any paywalls.

sci-hub.hkvisa.net


Sci-Hub

Sci-Hub,mg.scihub.ltd,sci-hub.tw,The project is supported by user donations. Imagine the world with free access to knowledge for everyone ‐ a world without any paywalls.

sci-hub.hkvisa.net

[vladlitovchenko]

вроде работает

[profi]

Вчера и сегодня с трех разных компов, работающих через разные прокси - ничего! Не дает статей. Вы пробовали что-то загрузить?

PS Для смеха: попробуйте получить вот такую pdf-ку 10.2174/1573411014666180912130839

Статья не из самых свежих. Интерсно, у Вас - получится?

[vladlitovchenko]

конкретно эту не получилось, говорит нет в базе.

а вот эту скачало.

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adfm.202007216

[vladlitovchenko]

и эту


Epitaxial Designs for Maximizing Efficiency in Resonant Tunneling Diode Based Terahertz Emitters

We discuss the modelling of high current density InGaAs/AlAs/InP resonant tunneling diodes to maximize their efficiency as THz emitters. A figure of merit which contributes to the wall plug efficiency, the intrinsic resonator efficiency, is used for the development of epitaxial designs. With the contribution of key parameters identified, we analyze the limitations of accumulated stress to assess the manufacturability of such designs. Optimal epitaxial designs are revealed, utilizing thin barriers, with a wide and shallow quantum well that satisfies the strained layer epitaxy constraint. We then assess the advantages to epitaxial perfection and electrical characteristics provided by devices with a narrow InAs sub-well inside a lattice-matched InGaAs alloy. These new structures will assist in the realization of the next-generation submillimeter emitters.

ieeexplore.ieee.org

а вот пару относительно новых 2022 года - говорит нет в базе