Что бы ни рассказывали маркетологи компании Intel о совершенном ею технологическом в 2011 году прорыве в производстве процессорных чипов вследствие внедрения в них трехмерных транзисторов по технологии Tri-Gate, интегральные схемы до сих пор остаются плоскими (планарными), поскольку они однослойные.
О действительно революционном технологическом решении, позволяющем создавать 3D-монолитные микросхемы, объявлено только в начале декабря 2015 года группой ученых Стэнфордского университета, Университета Карнеги Меллона и Калифорнийского университета в Беркли. Этот изобретательный коллектив сумел создать прототипы «многоэтажных» чипов, что знаменует начало «эры 3D-нанотехнологий» в компьютерной технике.
Попытки создания трехмерных («этажных» 3D) чипов предпринимаются во многих научно-исследовательских лабораториях уже довольно давно, но «удача улыбнулась» лишь американским «университетчикам», которые разработали свой вариант технологии Nano-Engineered Computing Systems Technology (N3XT), пригодный для массового производства.
См. также: