Feb 27, 2008 04:56
Микромакро
В валентной зоне электроны полупроводника занимают четкие позиции
энергетического спектра. При переходе электрона на уровень выше - в
зону проводимости - остается его образ (т.н. "дырка"), создаваемый
полями оставшихся частиц. Свойства образа полностью эквивалентны
свойствам частицы и он может быть представлен как псевдоэлектрон с
противоположным знаком. Свойства образа-псевдочастицы зависят от того
какую позицию его инициатор, перешедший наверх, занимал.
Это один из многочисленных примеров эффекта суперпозиции, наблюдаемых
в реальной жизни на любом уровне, когда группа источников может
создавать неотличимую видимость присутствия того, чего там на самом
деле нет. Или, скажем, наоборот: источник более высокого уровня
успешно эмулирует эффекты группы своих менее качественных сотоварищей.
Гравимакро
Постулат теории относительности Эйнштейна можно
сформулировать так: сила, затрачиваемая на передвижение в поле
тяготения эквивалента силе, затрачиваемой на то же передвижение в
свободной системе, движущейся с ускорением.
Нелишне спросить себя однажды: если силы ограничены, то не лучше ли сразу прилагать усилия в
свободной системе и даже позволить себе ускоряться, нежели регулярно
тратить те же силы на преодоление тяготения, находясь в его поле?