Технология производства полупроводниковых интегральных микросхем с помощью фотолитографии за почти полувековой путь развития, отмеченный высочайшими достижениями, в последние годы подходит к рубежу, за которым законы оптики уже не позволяют уменьшать размеры и транзисторов, и соединительных проводниковых дорожек.
По-видимому, в будущем фотолитографический техпроцесс останется в производственном сегменте выпуска микрочипов, в которых нет острой необходимости в дальнейшей микроминиатюризации компонентов процессоров и устройств памяти.
А в сегмент, где микроминиатюризация критически необходима, может прийти технология нанопечати (Nanoimprint Lithography), о разработке которой недавно рассказали на выставке Canon Expo 2015 Tokyo ее создатели - компании Canon и Toshiba. На этом мероприятии разработчики продемонстрировали опытные образцы кремниевых пластин с чипами, сформированными с помощью нанопечати по 11-нанометровому техпроцессу.
Ключевым инструментом технологии нанопечати является специальный штамп, благодаря которому она «не привязана» к оптике в противоположность фотолитографии, где размеры создаваемых элементов ограничиваются длиной волны используемого светового излучения.
Поэтому теоретически с помощью нанопечати можно создавать сколь угодно малые элементы. Возможно, у нанопечати появятся ограничения, связанные с размерами линий рисунков на штампе, но сейчас Nanoimprint Lithography способна обеспечить прогресс в микроминиатюризации на длительное время.
См. также: