Эффект Холла в ИХВВ
Работа научного сотрудника многогранна, но если она представляет интерес для него самого, то дело спорится. В институте химии к физикам отношение хорошее, трудятся с химиками бок о бок, и если химики больше ковыряются с реакторами и процессами синтеза, то физикам достается измерение полученных образцов. Мне довелось осваивать установку измерения эффекта Холла. Подобные измерения позволяют определять электрофизические параметры полупроводников: эффективную подвижность, концентрацию носителей, удельное сопротивление. Скоро всякие конференции начнутся, на которых будут обязательно спрашивать: "Вот вы так складно все рассказываете, а что вы сами измеряли?".
Поэтому сегодня я сделал несколько снимков, иллюстрирующих мою занятость. В самом деле, мы там и в квейк играем, и в героев во время синтеза, но больше всего, пожалуй, измеряем эффект Холла, спектры пропускания, я периодически статьи читаю по тематике. Ну, вот, смотрите, берем нашу эпитаксиальную структуру CdTe 1 мкм / CdHgTe 6-8 мкм / CdTe 2-3 мкм / s-GaAs 400 мкм, измерения проводятся контактные, значит прогреваем паяльник. Наносим индиевые контакты, проплавляя покровный слой и получая омические контакты
Если все сделать правильно, то ВАХ будет линейной. Измерения проводим по геометрии Ван-дер-Пау, располагаем контакты по углам квадрата. По одной диагонали идет ток с источника, на другой диагонали измеряем разность потенциалов. Измерения проводятся почти автоматически, через COM-порт. Вручную переворачиваем образец в магнитном поле и экспортируем данные в таблицу.
Измерения мы проводим при двух температурах: комнатной (300 К) и жидкого азота (будем считать 80К). Через воронку подливаем азот в контейнер с образцом, производим измерение. Весь процесс длится не более получаса: создание контактов, установка держателя, измерение удельного сопротивления и полевой зависимости коэффициента Холла для двух положений магнита, вынимаем образец и отпаиваем контакты.
Измерения записываются в текстовый файл, его копипастим в эксель, вводим начальные параметры и получаем электрофизику наших образцов. Я отхватил себе второй мониторчик и работаю очень эффективно! Обычно мы измеряем Rh(B) для 4 значений поля, максимально 1 Тл. Хотя я, впечатленный статьей J. Antoszewski, G.A. Umana-Membreno, L. Faraone, захотел получить что-нибудь похожее
Смысл в том, что если снимать подробную магнитополевую зависимость, то методом спектра подвижности в совокупности с подгонкой различных типов носителей можно получать дополнительную информацию о структурах. Собственно говоря, измерения я уже наладил, осталось только обсчитать.
А вот вам список литературы в жпеге :)
