"Разработан двухкаскадный УМ трехсантиметрового диапазона длин волн, обеспечивающий выходную мощность более 13 Вт и коэффициент усиления 14 - 15 дБ при КПД 25%. Разработан двухкаскадный УМ Х-диапазона с выходной мощностью 14 - 15 Вт, КПД не менее 30% и коэффициентом усиления не менее 8дБ. Разработан двухкаскадный усилитель Х-диапазона, обеспечивающий выходную мощность не менее 17 Вт в 10% полосе частот и КПД не менее 25%. Разработаны малогабаритные усилители мощности Кu-диапазона с выходной мощностью 6 Вт, коэффициентом усиления не менее 33 дБ и КПД не менее 25%."
T/R-module technologies today and possible evolutions Conference Paper (PDF Available) · November 2009
...In most of today's T/R-modules GaAs MMIC amplifiers are used with typical output power levels in the range of 5W to 10W [2,3]. Higher output power levels, broader bandwidth, increased power added efficiency (PAE) values, and higher operating voltages are advantages for performance improvement to meet future requirements. For these applications the use of amplifiers based on AlGaN/GaN is a very promising approach [4,5]. With the GaN technology, HPAs with higher output power compared to GaAs MMICs are already demonstrated [6,7].
Это значит что в приёмо-передающих модулях (ППМ) АФАР X-диапазона разработанных в первом десятилетии XXI века использовались GaAs СВЧ усилители мощности обеспечивавшие выходную мощность 5-10 Вт, а сегодня для аналогичных ППМ доступны GaAs усилители мощности обеспечивающие выходную мощность 13-17 Вт. Новейшие GaN МИС СВЧ усилителей мощности X-диапазона обеспечивают выходную мощность до 25-35 Вт. Разрабатываются GaN МИС СВЧ усилителей мощности X-диапазона с выходной мощностью 40-50 Вт.
1. не слишком ли я смело утверждаю, что большая часть аппаратуры Ф-35 выполнена в техпроцессе 140нм? 2. Могу ли я допустить, что сейчас РФ догнала по ряду параметров американцев и Ваши слова о том, что РФ отстает от США на 15 лет в деле разработки БРЛС (видимо Вы из какого-то интервью взяли эти слова?) это скорее перестраховка а не истина в последней инстанции?
Ну и вопрос не к тексту сценария а уже лично от меня:
Когда у России появится собственное нормальное производство электроники а не вечно банкротящиеся и живущие впроголодь Ангстремы и ко? Вообще, изменения к лучшему ожидаются или все и дальше будет также плохо?
Насколько серьезно отставание наших от запада в деле производства военной электроники (не только БРЛС)?
Подозреваю что по тематике какого-нибудь Алмаз-Антея отставания нет и вовсе, а то и возможно что там наши являются законодателями мод, а в других сферах?
(The comment has been removed)
"Разработан двухкаскадный УМ трехсантиметрового диапазона длин волн,
обеспечивающий выходную мощность более 13 Вт и коэффициент усиления 14 -
15 дБ при КПД 25%.
Разработан двухкаскадный УМ Х-диапазона с выходной мощностью 14 - 15
Вт, КПД не менее 30% и коэффициентом усиления не менее 8дБ.
Разработан двухкаскадный усилитель Х-диапазона, обеспечивающий
выходную мощность не менее 17 Вт в 10% полосе частот и КПД не менее 25%.
Разработаны малогабаритные усилители мощности Кu-диапазона с
выходной мощностью 6 Вт, коэффициентом усиления не менее 33 дБ и КПД не
менее 25%."
Reply
(The comment has been removed)
T/R-module technologies today and possible evolutions
Conference Paper (PDF Available) · November 2009
...In most of today's T/R-modules GaAs MMIC amplifiers are used with typical output power levels in the range of 5W to 10W [2,3]. Higher output power levels, broader bandwidth, increased power added efficiency (PAE) values, and higher operating voltages are advantages for performance improvement to meet future requirements. For these applications the use of amplifiers based on AlGaN/GaN is a very promising approach [4,5]. With the GaN technology, HPAs with higher output power compared to GaAs MMICs are already demonstrated [6,7].
Reply
(The comment has been removed)
Reply
(The comment has been removed)
https://www.macom.com/about/news-and-events/press-release-archive/row-col1/news--event-archive/macom-launches-new-15-w-x-band-h
Reply
1. не слишком ли я смело утверждаю, что большая часть аппаратуры Ф-35 выполнена в техпроцессе 140нм?
2. Могу ли я допустить, что сейчас РФ догнала по ряду параметров американцев и Ваши слова о том, что РФ отстает от США на 15 лет в деле разработки БРЛС (видимо Вы из какого-то интервью взяли эти слова?) это скорее перестраховка а не истина в последней инстанции?
Ну и вопрос не к тексту сценария а уже лично от меня:
Когда у России появится собственное нормальное производство электроники а не вечно банкротящиеся и живущие впроголодь Ангстремы и ко? Вообще, изменения к лучшему ожидаются или все и дальше будет также плохо?
Насколько серьезно отставание наших от запада в деле производства военной электроники (не только БРЛС)?
Подозреваю что по тематике какого-нибудь Алмаз-Антея отставания нет и вовсе, а то и возможно что там наши являются законодателями мод, а в других сферах?
Reply
http://www.f-16.net/forum/viewtopic.php?f=62&t=27539
https://www.nxp.com/docs/en/fact-sheet/MPC7448FACT.pdf
В БЦВМ ИМА БК истребителя Су-57 используются микропроцессоры "Эльбрус":
( ... )
Reply
(The comment has been removed)
https://soyuzmash.ru/docs/prez/prez-kpsu-220818-1.pdf
И да, пока что БЦВМ ИМА БК не "Эльбрусы", а:
https://module.ru/upload/files/listovka_sbis_1888th018_nov46.pdf
Reply
(The comment has been removed)
Reply
(The comment has been removed)
Reply
Leave a comment