Ещё раз про 45 нм
Первый пост про 45 нм вызвал довольно оживлённую дискуссию - это вдохновило меня на написание второго поста. Пользуюсь случаем, чтобы сказать, что мы с уважением относимся ко всем высказанным мнениям - как "за", так и "против". По крайней мере, тема вызывает интерес.
Итак, пост № 2.
На снимке изображён транзистор, изготовленный по технологии 45 нм - с огромным увеличением.
Тёмные пятна слева, в центре и справа - исток, затвор и сток соответственно (возможно, кто-то помнит, что это такое :)). Тонюсенькая чёрная линия, пересекающая кадр по горизонтали, - подзатворный диэлектрик. Он-то и является главным технологическим достижением на сегодняшний день, т.к. изготовлен из материала с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе гафния. Использование такого материала позволило драматически уменьшить паразитные токи и таким образом значительно повысить "энерго-эффективность" процессоров, изготавливаемых по данной технологии.