Для слюновыделения
А если серьезно, то не знаю, правильно ли обвешал емкостями SDRAM чип. По 1мкф керамике на каждый VDD (итого 3 штуки), по 0.1мкф керамике на VDDQ (итого 4 штуки), один тантал 22мкф.
Атмеловская аппнота (http://www.atmel.com/Images/doc6287.pdf) рекомендует обвешивать такой же чип следующим образом:
Use sufficient decoupling scheme for memory devices. It is recommended to use low ESR
0.01 μF and 0.1 μF decoupling capacitors in parallel. An additional 0.001 μF decoupling
capacitor is recommended to minimize ground bounce and to filter high frequency noise.
При сём у них на схеме все VDD* блокированы ёмкостями 100nF.