Скрытое состояние вещества ускорит работу компьютера в 10 раз
Исследователи научились быстро переключать материал из проводника в изолятор и обратно
Международная группа ученых с участием профессора НИТУ «МИСиС» Сергея Бразовского представила исследования высокослоистого материала дисульфида тантала, которые показали, что его сопротивление можно менять с уникально высокой скоростью, превращая из электрического проводника в изолятор и обратно. Сверхбыстрое «переключение» позволяет использовать материал в новейшей электронике в качестве энергонезависимого элемента памяти нового поколения.
В мае 2016 года в журнале Nature Communications была опубликована статья по итогам исследования, являющегося синтезом теоретической работы профессора Сергея Бразовского, выполненной в НИТУ «МИСиС» и Национальном центре научных исследований (CNRS, Франция) и эксперимента, проведенного под руководством профессора Драгана Михайловича в институте Йозефа Стефана в Любляне (Словения).
Профессору Сергею Бразовскому удалось построить теоретическое описание особого скрытого состояния вещества дисульфида тантала, которого данный материал может достигнуть только под влиянием внешних воздействий. Этот уникальное химическое соединение имеет неустойчивую внутреннюю решетку электронов, которая может принципиально меняться за счет внешнего импульса, преобразуя в итоге физические свойства самого материала. Скрытое состояние было экспериментально обнаружено учеными только в 2014 году.
Далее об исследованиях высокослоистого материала читайте здесь