Современные «кремниевые» технологии производства полупроводниковых микрочипов обеспечивают минимальные размеры логических и запоминающих ячеек около 20 нм. Продолжение микроминиатюризации дается со всем большим трудом, поскольку все более ярко начинает проявляться эффект самопроизвольного туннелирования электронов между «сверхмалыми» логическими и ( Read more... )

Туннельные полевые транзисторы (Tunnel Field-Effect Transistor - TFET) довольно длительное время исследуются во многих научных лабораториях мира как альтернатива тотальному применению в компьютерной технике «энергорасточительных» CMOS-транзисторов.


( Read more... )