Революционная память со сверхплотной емкостью
В Университете Райса (США) разработан новый тип памяти, для которой «рабочим материалом» служит нанопористый оксид тантала, сформированный в тончайшую пленку, входящую в состав многослойного «нанопирога», толщиной 250 нм.
Эта многослойная структура выращивается на диэлектрической подложке из оксида кремния, на поверхности которой размещается сплошной электрод из платины. С ним контактирует металлическая танталовая пленка, а на ней размещается оксид тантала. Далее следует пленка многослойного графена (MultiLayer Graphene - MLG) и второй платиновый электрод, выполненный в виде множества точек, под которыми образуется соответствующее множество ячеек памяти.
Новая технология обеспечивает создание энергонезависимых запоминающих устройств со сверхплотной емкостью (в разы выше, чем у лучших современных образцов памяти на основе оксидов металлов), потребляющих для записи и чтения энергии в сто раз (!) меньше энергии.
В микросхемах нового вида памяти применяются два управляющих электрода, благодаря чему их изготовление проще, чем флеш-памяти, для которой необхожимы три электрода. К тому же производство «танталовой» памяти осуществляется при комнатной температуре.
См. также:
Эта многослойная структура выращивается на диэлектрической подложке из оксида кремния, на поверхности которой размещается сплошной электрод из платины. С ним контактирует металлическая танталовая пленка, а на ней размещается оксид тантала. Далее следует пленка многослойного графена (MultiLayer Graphene - MLG) и второй платиновый электрод, выполненный в виде множества точек, под которыми образуется соответствующее множество ячеек памяти.
Новая технология обеспечивает создание энергонезависимых запоминающих устройств со сверхплотной емкостью (в разы выше, чем у лучших современных образцов памяти на основе оксидов металлов), потребляющих для записи и чтения энергии в сто раз (!) меньше энергии.
В микросхемах нового вида памяти применяются два управляющих электрода, благодаря чему их изготовление проще, чем флеш-памяти, для которой необхожимы три электрода. К тому же производство «танталовой» памяти осуществляется при комнатной температуре.
См. также: