Samsung представляет 3D-память SSD V-NAND 6-го поколения
Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявиляет о начале массового производства твердотельных накопителей SATA ёмкостью 250Гб на базе 256-гигабитных V-NAND модулей 6-го поколения из более чем 100 слоёв трёхбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев - таким образом, корпорация сократила производственный цикл на 4 месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
V-NAND модули Samsung 6-го поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество вендора, которое выводит 3D-память на новый уровень.
Благодаря уникальной фирменной технологии травления каналов новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путём формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трёхмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флэш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрил оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
Благодаря оптимизированному дизайну, решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоёв, сочетая 3 ячейки 6-го поколения без ущерба для производительности или надёжности чипа.
Кроме того, для создания чипа плотностью 256Гб нового поколения необходимо всего 670 миллионов сквозных каналов, по сравнению с 930 миллионами в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерен не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надёжность имеет ключевое значение.
«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, - отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флэш-памяти и технологии Samsung Electronics. - Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит запуск на рынок 512-гигабитных трёхбитных V-NAND SSD и eUFS во 2-м полугодии. Корпорация также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений 6-го поколения на заводе в Пхёнтэке (Южная Корея), начиная со следующего года.
Подробнее: https://samtizen.blogspot.com/2019/08/samsung-3d-ssd-v-nand-6.html