Samsung первым в отрасли приступил к выпуску «систем на чипе» по 10-нм технологии FinFET
Транснациональный гигант Samsung объявил о начале массового производства «систем на чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. В сообщении говорится, что эти системы являются первыми в отрасли.
Производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40% снизить энергопотребление.
По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30% в расчёте на одну кремниевую пластину.
Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится о возможности увеличения производительности на 27% по сравнению с 14-нанометровыми решениями.
Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Кроме того, обеспечена поддержка памяти LPDDR4X.
Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения.
Почти наверняка новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung - чипов семейства Exynos.
