Российские учёные разработали установку для получения
полупроводников
Специалисты Томского института сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную установку, которая позволяет получать полупроводники и металлические материалы с качественно новыми свойствами для микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного центра.
У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности - имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники и приборостроения.
Профессор Национального центра ядерных исследований Польши Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный опыт сотрудничества с томскими коллегами.
Оригинал опубликован nanonews. в Российские учёные разработали установку для получения полупроводников
источник: www.strf.ru