«Субмикронные технологии» будут производить чипы на основе GaAs и GaN
Томская компания «Субмикронные технологии», разрабатывающая элементную базу СВЧ-диапазона, намерена перейти к производству СВЧ-приборов на основе арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN).
GaAs-микросхемы могут работать на частотах до 300 ГГц и выше, имеют высокую радиационную стойкость, поэтому могут использоваться в космосе для высокоскоростной передачи данных и телевещания.
Транзисторы на основе GaN сохраняют работоспособность при высоких температурах и напряжениях и используются для создания мощных и сверхмощных СВЧ-усилителей.
Учредители создаваемого на базе ООО «Субмикронные технологии» предприятия - ЗАО «НПФ «Микран» и ОАО «Концерн радиостроения «Вега», который уже проектирует лабораторно-производственный корпус на территории ОЭЗ «Томск».
Директор ООО «Субмикронные технологии» Валерий Кагадей: "Технологические особенности изготовления наших микросхем могут сделать нашу продукцию конкурентоспособной на мировом рынке".
Департамент энергетики США выделил 70 млн долларов на исследование GaN, применение которого в осветительной электротехнике и электроэнергетике может снизить уровень мирового потребления энергии на 25 %. К 2025 году светодиоды на основе GaN могут полностью заменить традиционные лампы накаливания. GaN может быть использован для создания электронных приборов, работающих на частотах в сотни гигагерц.
Источник
Еще один приятный эффект санкций - начинаем догонять Запад в производстве самой современной твердотельной электроники, на поставки которой всегда было жесткое эмбарго.