прорыв в области микроэлектроники
ASML и Imec объявили о прорыве в области литографии с высоким числом апертуры High-NA
Новая технология High-NA в области литографии позволяет преодолеть ограничения существующих методов производства микросхем. Ключевое преимущество - возможность создавать сверхтонкие структуры за одну экспозицию, что значительно ускоряет процесс производства полупроводников и повышает их эффективность. Этот прогресс особенно важен для развития таких областей, как искусственный интеллект, квантовые вычисления и 5G-технологии, требующих все более мощных и энергоэффективных чипов.
В ходе испытаний новой системы Twinscan EXE:5000 EUV были достигнуты впечатляющие результаты. Инженерам удалось создать логические структуры размером до 9,5 нм, что примерно на 30% меньше, чем позволяют нынешние технологии. Кроме того, были напечатаны элементы памяти DRAM размером 32 нм и двумерные структуры в 22 нм - все это за одну экспозицию. Такие показатели открывают дорогу к массовому производству чипов по технологии 1,4 нм, что еще недавно казалось недостижимым.
Появление High-NA литографии - это не просто техническое достижение. Это шаг к новой эре в электронике, который может привести к разработке более мощных, энергоэффективных и компактных устройств, открывая новые возможности в области вычислений, коммуникаций и обработки данных. Пока рано говорить о массовом внедрении этой технологии, но уже сейчас ясно, что она имеет потенциал кардинально изменить будущее микроэлектроники.
📃 Читайте далее на сайте
__________________________________________________________________________________________
Четкая корреляция - чем эффективнее микропроцессоры, тем слабее и глупее люди
Новая технология High-NA в области литографии позволяет преодолеть ограничения существующих методов производства микросхем. Ключевое преимущество - возможность создавать сверхтонкие структуры за одну экспозицию, что значительно ускоряет процесс производства полупроводников и повышает их эффективность. Этот прогресс особенно важен для развития таких областей, как искусственный интеллект, квантовые вычисления и 5G-технологии, требующих все более мощных и энергоэффективных чипов.
В ходе испытаний новой системы Twinscan EXE:5000 EUV были достигнуты впечатляющие результаты. Инженерам удалось создать логические структуры размером до 9,5 нм, что примерно на 30% меньше, чем позволяют нынешние технологии. Кроме того, были напечатаны элементы памяти DRAM размером 32 нм и двумерные структуры в 22 нм - все это за одну экспозицию. Такие показатели открывают дорогу к массовому производству чипов по технологии 1,4 нм, что еще недавно казалось недостижимым.
Появление High-NA литографии - это не просто техническое достижение. Это шаг к новой эре в электронике, который может привести к разработке более мощных, энергоэффективных и компактных устройств, открывая новые возможности в области вычислений, коммуникаций и обработки данных. Пока рано говорить о массовом внедрении этой технологии, но уже сейчас ясно, что она имеет потенциал кардинально изменить будущее микроэлектроники.
📃 Читайте далее на сайте
США освободят некоторые компании из Японии, Нидерландов и Южной Кореи от соблюдения новых санкций
Глава ASML: КНР подминает под себя рынок полупроводников, пока Европа вводит очередной пакет санкций
США планируют расширить санкции для сокращения поставок оборудования ASML в Китай
Экс-глава ASML: Война чипов между США и Китаем грозит затянуться на десятилетия
__________________________________________________________________________________________
Четкая корреляция - чем эффективнее микропроцессоры, тем слабее и глупее люди