Речь идет о попытках использовать
чипсеты Qualcomm Snapdragon класса S3 в самых мощных новинках
компании Samsung.
Samsung Galaxy S II LTE уже продается (в нем бьется два мощных "сердечка" чипа
APQ8060), а сегодня появились слухи о модели
Samsung SGV-E120L на базе двухъядерного MSM 8660.
HTC, которая тоже строит свои новинки на базе семейства Snapdragon, пока что не выходит за границы класса S2, либо... лучше до поры хранит свои секреты.
Так или иначе, но фактом остается то, что двухъядерные процессоры, выполненные по процессу 45 нм, которые разрабатывались вовсе не для смартфонов и планшетов, а для "многозадачных устройств и гейминга", оказываются на борту смартфонов. Что позволяет сделать два прогноза.
Во-первых, новинки будут оснащаться безумными батареями с емкостью не менее 1850 мАч, что вряд ли можно считать привлекательным, аппарат, возможно, будет нагреваться при кодировании видео HD 1080p. Но поставить батарею меньшей емкости не получится, иначе время активной работы смартфона не дотянет и до нескольких часов.
Во-вторых, что куда приятнее, такие смартфоны будут обладать солидной вычислительной мощностью, что позволит рассчитывать (наконец!) на большие экраны с большим разрешением - чипсет поддерживает до 900 х 1440. У
Salaxy S II LTE - 4.5" c плотностью 207 ppi, в
Samsung SGV-E120L обещан экран размером 4.7" с плотностью картинки 312 ppi. С такими параметрами процессора и экрана, с поддержкой LTE, модели просто обречены на успех, если идея не будет "убита" сверхвысокой ценой новинок.
На этом фоне одноклассники
Samsung SGV-E120L по размеру экрана -
HTC Titan и
HTC Bass с экранами 4.7" и разрешением менее 200 ppi выглядят ... скромно. А
LG LU6200 с его 4.5", пусть и немного, но проигрывает по размеру экрана.
В России пока нет сетей
LTE, так что премьеры устройств, вероятно, состоятся в США, Германии, Скандинавии.